黃仁勳預測中國將於 2030 年掌握先進光刻機能力；但在 EUV 與量產挑戰上仍面臨巨大落差
為何重要
黃仁勳的樂觀預測與業界普遍對 EUV 及關鍵技術成熟度持保留態度形成強烈對比。對投資人而言，這顯示出中美 AI 競爭中「硬體壁壘」的心理學與實體現實差異，即便中國在演算法與資本支出上投入巨大，先進製程光刻機長期受限仍將是影響其晶圓廠產能擴張與競爭力的關鍵變數。
Nvidia 執行長黃仁勳對中國技術自主化持樂觀態度，預計該國將在三年到四年內開發出與 ASML 旗艦同等級的先進光刻機，認為現有產能優勢將促成最終突破。
- 業界現狀：全球領先的光刻機製造商 Shanghai Micro Electronics Equipment （SMEE）目前能夠量產 90nm 工藝所需的 193nm ArF 幹式掃描器。
- 28nm 挑戰：雖傳出開發出 28nm ArF 沖浸式掃描器，但目前尚無公開證據顯示該技術已進入小規模到大規模的生產階段。
- 時程推估：即便上海 Aishengna 電子科技集團（SMEE 隸屬單位）能在 2026 年交出首臺 28nm 沖浸式機臺，為了應用於高符合量製程（HVM），仍需數年時間進行資格認證；在 2028 年前大規模普及的機率不高。