比較 A7 CFET 與 A10 Nanosheet FET：從寄生效應到晶片可靠性評估
為何重要
此研究對於極限製程 5nm 以下的 AI 加速器設計至關重要，因為它提供了一套從標準單元模型到三維寄生引數提取、再到晶片可靠性的完整驗證方法。運用相同的裝置邏輯來隔離寄生 RC 的影響，能讓晶片設計團隊更客觀地評估不同電晶體架構（CFET vs Nanosheet）的效能優勢。
德國慕尼黑工業大學、義大利摩德納學院與應用材料的研究團隊釋出了一篇技術論文，新構建的系統技術共評估流程可用於精確分析 A7 CFET 和 A10 NSFET 技術節點中的寄生效應。