臺積電、三星與英特爾攜手 ASML 推動 6x12 吋光罩遷移，加速高 NA EUV 一擊流製程佈局
為何重要
這項遷移計畫是先進半導體製造從 Low-NA 時代邁向 High-NA 關鍵的一步，能大幅提升大型 CPU/GPU 的製造良率與單次曝光效率。然而，這將是一場耗時數年的基礎設施重構，意味著業界將在未來數年內同時面對兩種光罩格式的成本與複雜度，對代工廠及裝置供應鏈的長期投資在財務模型上將產生顯著影響。
高 NA EUV（NA 0.55）雖能達到 8nm 單次曝光解析度，但因光學設計限制，需透過接合（Stitching）來製造大型晶片，這會降低產能並增加設計難度。為解決此痛點，TSMC、Samsung、Intel 與 ASML 組成聯盟，決心遷移至 6x12 吋光罩以恢復完整的曝光場。