中國科學院微電子所成功展示無 EUV 的 3nm 堆疊奈米片 GAA 閘極電晶體
為何重要
這項技術突破雖顯示中國在受限條件下的自主工程能力，但缺乏商用 3nm 節點的關鍵尺寸資料（如堆疊密度、節距），意味著其物理極限尚未觸碰 TSMC、Samsung 或 Intel 的精進佈局。對於業界而言，這代表在地緣政治背景下無 EUV 製程的模擬路徑已打通，但現階段仍無法改變大廠對先進 EUV 裝置的採購決策。投資人應將此視為戰略防禦性的進展，而非競爭力的追趕。
為應對西方對 EUV 光刻裝置的出口限制，中國科學院微電子研究所 (IMECAS) 證明可利用浸潤式 DUV 光刻製作堆疊奈米片柵極全周圍 (GAA) 電晶體，試圖在受限技術環境下推進 3nm 類別製程研究。
- 關鍵效能驗證：IMECAS 成功製作出 Ion/Ioff 比分別為 $9.7 imes 10^4$ 和 $7.6 imes 10^4$ 的裝置，均超過 $5 imes 10^4$ 的門檻值，證實閘極對堆疊電晶體的控制有效。
- 距離商用仍遠：被稱為「早期工藝整合」的成果未公開最關鍵的幾何引數（如 gate pitch、metal pitch、transistor density），且確認其僅為實驗流程，絕非商業上的完整 3nm Class 製程。
- 路徑驗證意義：這是業界首次展示如何利用 DUV 光刻來製造給未來 3nm 類別使用的 GAA 裝置，雖然證明瞭技術可能性，但遠未達到減少對西方工具日益增強依賴的程度。