研究簡報：6 月 15 日
為何重要
這些硬體研發突破將提升系統在極端環境下的穩定性，並為未來穿戴裝置與智慧皮膚的平臺提供更完善的原型解決方案。
美國研究團隊開發出能承受高輻射（達 100 萬 rads）的鐵電 NAND 快閃記憶體晶片，適用於太空任務；蒙特利爾理工學院則在矽晶片上整合了光學增幅與調變功能；此外，南韓與中國的學者開發出一種低電壓有機發光電晶體，實現了訊號處理、記憶體與發光功能的單一元件整合。
這些硬體研發突破將提升系統在極端環境下的穩定性，並為未來穿戴裝置與智慧皮膚的平臺提供更完善的原型解決方案。
美國研究團隊開發出能承受高輻射（達 100 萬 rads）的鐵電 NAND 快閃記憶體晶片，適用於太空任務；蒙特利爾理工學院則在矽晶片上整合了光學增幅與調變功能；此外，南韓與中國的學者開發出一種低電壓有機發光電晶體，實現了訊號處理、記憶體與發光功能的單一元件整合。