從電晶體到資料中心的散熱分析擴充套件：多物理模擬成為新常態
為何重要
散熱分析正從單純的需求變成設計限制，因為資料中心與先進封裝架構極度仰賴精確的多物理模擬以解決可靠性問題，這將決定新架構能否實現商業化與穩定運作，並重塑 EDA 工具市場的競爭格局。
散熱正從後端運作轉變為前端架構限制，影響資料-center 與多晶片封裝設計，專家指出隨著計算密度上升與封裝複雜度增加，多物理模擬的精確度需求已從傳統 PVT 邊界提升至晶片層級與系統層級的精細散熱預測。
- 傳統的 PVT 邊界（高、低、中溫）模型已不足夠，設計階段需精確預測特定電晶體區域的熱點位置。
- Chiplet 與先進封裝技術使得熱點、串擾與材料評估變得更加複雜，必須跨整個封裝與系統進行分析。
- 散熱解決方案涉及 TIM 1 與 TIM 2 介面材料創新，以及冷板、浸沒式與兩相冷卻等直接晶片冷卻架構。