鉬準相位獨立遮罩改善 EUV 成像，臺積電與陽明交大合作突破
為何重要
此方案解決了 EUV 光罩在高差異結構下的成像品質與對比度瓶頸，對推動下世代 12.5 nmHP 製程是關鍵的工程突破。對臺積電而言，這有助於延續 EUV 在 NAND Flash 等量化產品上的優勢；對產業而言，提供了具體可行的材料路徑來擴大製程窗（Process Window）。
國立陽明交通大學（NYCU）與臺積電合作發表技術論文，提出以鉬（Mo）為材料的準相位獨立遮罩（quasi-POMs）作為傳統鎽（Ta）基吸收體的創新替代方案。
- 模擬顯示 Mo quasi-POMs 能將影像對比度提升高達 35%，焦點視窗增加 5 倍，同時將峰值同軸率誤差降低 92%。
- 該技術支援 0.33 NA EUV 系統搭配單極照明，實現 12.5 nm 半間距解析度。