MIT、SLAC 等利用超快 X 射線繞射法繪製氮化鎵薄膜熱傳導地圖
為何重要
氮化鎵（GaN）元件因其高功率與高頻特性，在電源轉換與射頻領域環繞，但熱管理是主要瓶頸。此技術提供精確量測微觀熱傳的路徑，將有助於未來半導體散熱結構的最佳化設計，提升高功率元件的可靠性。
MIT、SLAC、史丹佛大學及阿貢國家實驗室發表研究，展示如何利用非接觸式的技術精確測量半導體材料微觀層面的熱傳特性。
- 提出了「非接觸式、時空解析度之超快 X 射線繞射」方法。
- 在矽基底的氮化鎵薄膜模型系統中，萃取平面熱導係數與熱邊界導熱率。
- 研究成果於 2026 年發表在《Nature Communications》期刊。