中國光刻機路線追蹤：上海 Aishengna 推進 DUV 產能、EUV 登峰計畫與出口禁令風險
為何重要
雖然中國裝置本土化率呈現顯著成長（FAB 採購 35%），但先進光刻技術的效能與穩定性仍遠落後於 ASML 目前產品，且服務禁令恐切斷既有先進製程的維運命脈。這顯示出在地緣政治角力下，各國廠商與中國裝置商均正處於「供應鏈重組」與「技術節點卡關」的雙重夾擊中。
根據路透社報導，中國正整合國內資源推動本土光刻機產能，上海 AIshengna 預計低量產「浸潤式」DUV 機器，同時深圳實驗室已組建包含上海微電子系統在內的國家級 EUV 研發小組，面臨美國出口管制日益嚴峻的壓力。
- 上海 Aishengna 目標 2026 年產能僅約 5 臺（因關鍵零元件仰賴日本進口導致延遲），並在 2027 年增至約 20 臺，主要交付 SMIC、華虹與 CXMT 進行線上驗證。
- 2025 年中國 FAB 裝置採購中，本土裝置佔比達 35%（超過北京 30% 目標），但光刻機切入僅約 18%，且先進刻蝕與薄膜沉積已超過 40% 本土化。
- EUV 光源實驗原型機已在實驗室執行但未曝光晶圓，中國科學家效率約 3.4% 且輸出功率約 100W，距離達姆施塔特工廠商業可用的 5% 與 600W 仍遠遠不足。
- 美國 MATCH Act 提議全面禁止向中國銷售與維護 DUV 裝置，儘管 ASML 中國營收佔比已從前年的 41% 降至約 20%。