CXMT 開始進行 HBM3E 記憶體生產測試，顯示中國半導體技術進展
為何重要
HBM3E 技術難度高，CXMT 的突破意味著中國的半導體封裝擴產與堆疊良率能力已接近國際水準，這對於打破美國出口管制對 AI 硬體的供應鏈封鎖具有關鍵戰略意義。對產業來說，這代表中國在地 AI 軟硬體生態的閉環能力正在增強，未來將更直接參與高階算力競爭。
中國記憶體製造商 CXMT 已經開始 HBM3E（高頻寬記憶體）的「風險生產」階段，儘管離大規模量產尚有一段距離，且技術規格仍落後全球霸主的 HBM4 機型，但此舉被視為該公司在先進記憶體封裝領域的重大技術里程碑。
- HBM3E 符合 JEDEC 標準，採用 1,024-bit 儲存介面，頻寬最高可達 1.228 TB/s。
- 理論容量可包含 24GB（8 層堆疊）或 36GB（12 層堆疊）。
- 阿里巴巴 T-Head、Cambricon 等開發者已開始評估該產品。
- 若順利驗證，預計明年起即可在商用產品中匯入 CXMT 的 HBM3E。