ASML 與 TSMC 推動大光罩技術以利生產更小晶片
為何重要
這項技術轉型代表了具體解決 12 英寸晶圓上 High-NA EUV 產能與製程瓶頸的關鍵一步，將直接影響未來 2nm 及以下節點的 ramp-up（爬坡）速度。對代工廠而言，確保光罩與裝置規格的一致性是執行零故障生產的必要條件；對供應鏈來說，這意味著光罩業者在量產標準上必須迅速跟進，以避免造成資本支出餘震。投資人應密切關注此標準落實後，對各廠商先進製程商業化時程的具體影響。
ASML 與 TSMC 發起產業推動計畫，目標是匯入 12 英寸光罩，以提升高數值孔徑 EUV（High-NA EUV）的生產力並降低成本。
- 該計畫預計在 2031 年建立 12 英寸光罩 pilot line，並在 2033 年讓相關 lithography systems 準備好進行 advanced nodes 的生產。
- 為瞭解決先前高 NA EUV 機臺採用 anamorphic optics 造成的 stitching constraints（接縫限制），轉用大光罩有助於恢復完整的曝光場範圍。
- TSMC 已宣佈計畫從 2030 年起，在 high-volume manufacturing 的 advanced nodes 採用 High-NA EUV，預計需求將隨 AI 應用推動的複雜 transistor architectures 而增加。