Kioxia 展示以 NAND 為基礎的 CXL 記憶體擴充裝置 XL1
為何重要
這項展示證實了業界對「異質記憶體架構」的持續追求，透過將非 DRAM 陣列（如 XL-FLASH）整合進 CXL 記憶體擴充通道，開發者與系統架構師能在不犧牲主要熱點資料效能的情況下，大幅降低擴充容量所需成本。這類解決方案提供了一條在 DRAM 供給受限或液態化成本攀升下，延續伺服器運算能力成長的有效路徑。
面對 DRAM 短缺與高漲價格，Kioxia 在 FMS 2026 展示了一款名為 XL1 的 CXL 裝置，利用 XL-FLASH 技術將 NAND 用於記憶體擴充，以降低資料中心擴充容量的成本。
- 裝置採用 CXL 2.0 運作，介面標準為 E3.S，賦予系統工程師在連線此類記憶體擴充裝置或傳統 NVMe SSDs 上的彈性選擇。
- 實機規格為明顯的 512GB 容量，定位為第 3 型 CXL 記憶體擴充裝置，基於 XL-FLASH Generation 2 技術解決方案。
- 效能方面，讀取速度達到不到 1GB/s，延遲為 755ns；在 100% 512B 負載下能達到約 2M IOPS。
- 此解決方案旨在解決熱點與冷點資料儲存問題，允許伺服器使用較貴的 DRAM 處理熱資料，並搭配較便宜的 XL-FLASH 處理冷資料。