iPhone 18 Pro Max 採用 QLC NAND 發生寫入崩潰：1.1 MB/s 實測曝光
為何重要
此實測揭示了高密度 NAND 在旗艦手機燒錄上的硬體取捨，顯示出即便 iOS 具備強大的後端管理手段，仍難以完全遮蔽不同儲存技術間的物理限制。對投資人與開發者而言，這代表未來智慧型手機的儲存策略將更側重於快取規劃與外掛技術，以平衡使用者對大容量與高速寫入的需求。
iPhone 18 Pro Max 為達成大容量儲存而採用 QLC NAND，但在重負載持續寫入下出現顯著效能落差。
- 在混合低佇列深度場景中，1TB QLC 型號跑分比 512GB TLC 型號低了 38%（分數 8,168 vs 11,285）。
- 當儲存達 60% 時，SLC 快取驟減至 58GB，導致直接寫入細節速度低至 1.1 MB/s，甚至跌破預算級 microSD 卡表現。
- 此為合成基準的最壞情景，使用者日常使用可能不明顯，僅在傳輸大檔案或 4K 影片時會遇瓶頸。