SK Hynix 提出總額 380 億美元的韓國晶圓廠擴充計畫
為何重要
這項重大資本支出宣告顯示 SK Hynix 對高階儲存體需求的長期看好，將直接影響 3D NAND 與 DRAM 的全球供需平衡，迫使 Samsung 與 Micron 必須做出相應回應。對產業鏈而言，這不僅是廠商報表上的 CapEx 影響，更是汽車、伺服器與 AI 等下游應用半導體的重要供給基礎；同時，這也為韓國半導體製造裝置廠商與材料廠商帶來可觀的營收商機。
記憶體大廠 SK Hynix 宣佈總額約 380 億美元的晶圓製造設施擴充計畫，旨在加強在韓國的產能基礎。該計畫分兩階段在韓國境內興建新廠，重點資產包含京畿道 Yongin 約 247 億美元的 DRAM 廠，以及忠清北道 Cheongju 約 133 億美元的 NAND 製造廠。
- 計畫總投資金額為 5.4 兆韓元（約 380 億美元）。
- 首棟 DRAM 設施將於京畿道 Yongin 興建，預估成本約 247 億美元。
- 第二棟 NAND 製造廠將於忠清北道 Cheongju 落腳，預估成本約 133 億美元。