中國記憶體大廠 CXMT 計劃跨足 NAND 領域，時限至少 2 至 3 年
為何重要
CXMT 的擴張計畫顯示中國半導體產業正試圖打破 DRAM 與 NAND 的技術領域分工，轉向類似美光或三星的全產業鏈供應模式；不過從商業邏輯來看，貿然進入不同製程的 NAND 領域，可能會分散原本在 HBM3E 與高階 DRAM 上已建立的競爭優勢。
據報導中國主流量產 DRAM 廠商 CXMT 正在尋求突破以往的垂直領域，計劃在第二製造工廠建置 3D NAND 研發生產線，以拓展其儲存產品供應鏈。
- 計劃在位於北京的「第二工廠」建立 3D NAND 研發生產線，該工廠目前仍處於籌備階段。
- 考慮到工廠尚未動土，預估該研發線正式營運至少需 2 到 3 年的時間。
- CXMT 已成立研究中心專注 NAND 開發，並曾於市場募資階段獲得合肥當局 37% 的持股支援。