三星在 Hot Chips 2026 發表演講：演進 HBM Base Die 技術
為何重要
Samsung 將記憶體控制、散熱邏輯甚至模擬處理單元轉移至 HBM Base Die，標誌著 AI 記憶體產品正從單純的頻寬供應商轉型為具備系統級算能與能效最佳化的重要節點。對產業而言，這將改變 AI 加速器的封裝板塊設計趨勢，且先進封裝與能效最佳化成為新的競爭戰場。
Samsung 在 Hot Chips 2026 發表演講，展示 HBM Base Die 的演進策略，計劃將原本被動的中介層功能轉化為具備主動邏輯的運算核心，以應對 AI 模型對頻寬與容量的爆炸性需求。
- 製程升級：Base Die 從邏輯製程邁向 4nm 搭配 D1c DRAM 製程，從 HBM4 起開始整合先進邏輯功能，大幅縮小與 XPU SoC 的差距。
- 熱管理突破：透過 Heat Path Block (HPB) 解決問題，在 PHY 覆蓋率達 50% 以上時，將峰值溫度降低逾 35%，對應功率密度逼近 2.0 W/mm2 的挑戰。
- 看向 zHBM：提出移除傳統 SERDES 與 HBM PHY 的方案，改用 3D 垂直整合與散佈式 I/O 的 zHBM 架構，目標為實現超低功耗。