選對電力元件：輻射加固 vs. 輻射耐受 MOSFET
為何重要
這篇文章揭示了 NewSpace 業界為了在低地球軌道應用中平衡成本與可靠性，必須捨棄傳統汽車或商用元件，轉向專用的輻射耐受功率半導體。Infineon 推出矽與氮化鎓（GaN）結合的輻射加固新技術，顯示在高軌衛星或極端環境下，功率半導體的競爭已從單純的效能比拼轉向材料耐久度與計算成本的垂直整合挑戰。
太空環境對電子元件具有極大破壞力，選擇正確的功率元件對系統可靠性至關重要。
- 輻射耐受（Rad Tol）元件：適合壽命較短且成本為主要限制的任務，是在低地球軌道（LEO）應用中的折衷方案。
- 輻射加固（Rad Hard）技術：由 Infineon IR HiRel 提供，包含矽（Si）FET 與氮化鎵（GaN）電晶體，並符合國防後勤署（DLA）認證及 MIL-PRF 和 JANS 測試要求。
- 效能指標：輻射加固元件針對單一事項效應（SEE）設計，並在導通電阻（RDS(on)）、閘極電荷（Qg）等關鍵效能區域表現最佳。