Samsung 推出三項新一代記憶體技術：zHBM、zNAND-O 與 BV-NAND 聚焦異質整合
為何重要
Samsung 此舉標誌著從傳統 HBM 排列到晶圓級異質整合的架構演進，若能解決散熱與製程複雜度，將重塑資料中心硬體設計。儘管指標具體細節尚不明確，但 Samsung 在 V-NAND 陣營中推動 5600 MT/s 的高 I/O 速度，顯示其在相關標準制定上仍試圖超越 Competitor（如 Kioxia）。
- Samsung 在 FMS 2026 大會發表 zHBM（將 HBM 堆疊直接置於 AI 加速器上方）、zNAND-O（邊緣 AI 用針腳擴充 NAND）與 BV-NAND（第 10 代 V-NAND），三項技術均強調先進晶圓接合能力。zHBM 被描述為客製化高階記憶體，估計相比 HBM5 可達 8x 效能提升、10x 密度增長及 3x 能源效率進步。