imec、KU Leuven 與 ASM 發表基於 TMD 的 MOS 結構電荷組成量化研究
為何重要
過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 被視為未來半導體晶片製程突破 2D 限制的關鍵材料，準確計算其異質離子陷阱與載子效應，將直接決定高階運算晶片在散熱與能量效率上的物理極限，對材料與封裝供應鏈的技術路徑有指標意義。
- 研究團隊使用多頻率電容-電壓 (C–V) 與導納-電壓 (G–V) 掃描，結合 Hall 測量技術，試圖量化基於全耗盡型幾層過渡金屬二硫屬化物 (MX2) 的 MOS 裝置總電容來源。
- 目標在於精確描繪並計算介面離子陷阱、氧化物邊界陷阱以及可移動載子如何對金屬-氧化物-半導體 (MOS) 裝置產生影響。