Kioxia 與 Sandisk 展出 37 Gb/mm2 位元密度紀錄：BiCS10 3D QLC NAND 的新里程碑
為何重要
332 個活躍層的密度提升對於 AI 模型訓練所需的超大容量儲存來說是關鍵，能有效釋放資料中心空間並提高儲存利用率；結合 PI-LTT 技術與新製程最佳化，未來有助於供應商在規模化後降低高容量 SSD 的成本，進而在基礎設施儲存的激烈競爭中取得價格優勢。
Kioxia 與 Sandisk 在 Future of Memory and Storage Conference 正式展示最新 BiCS10 3D QLC NAND 裝置，標榜全球最高位元密度，並強調其在資料中心高儲存需求場景的應用潛力。
- 位元密度達到 37 Gb/mm2，並包含 332 個活躍層。
- 擁有高達 4,800 MT/s 的介面速度及 SCA 能力。
- 使用 Power-isolated low-tapped termination (PI-LTT) 技術來降低高速輸出驅動器的功耗。
- 這項新 IC 是針對同時需要高密度與內建高 I/O 效能的資料中心 SSD。